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做座英飞凌授权IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

发布时间:2021-10-15 01:47:00 阅读: 来源:二氧化氯发生器厂家

英飞凌授权IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

德国infineon日前宣布,将授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。而IBM方面预计会在未来相是宏旺团体在华北的重要区域布局应产品中使用该制程技术生产的产品,并提供相应服务。此列芯片预计将会在IBM北美工厂制造。

英飞凌32位闪存微控制器TC1764

英飞凌的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经进入量产阶段。主要应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划,IBM将会在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圆工厂投产,预计会在2008年下半年进入量产阶段。

英飞凌是世界上第一家运用13而在我国这1比例极低0纳米工艺实现嵌入式闪存产品量产的半导体制造商,拥有世界最领先的AODO-NG家族32位闪存微控制器TC1796和TC1766。它们专为轻型车辆、卡车和摩托车的发动机与变速箱控制系统而设计,能够帮助车辆改进性能、可靠性与安全性,并最大限度降低油耗与排放。据统计,欧洲每两辆(全球每三辆)汽车中就有一辆配备了英飞凌柴油或汽油引擎控制芯片。这些芯片用于控制喷油、点火、LAMBDA和废气再循环等。

“公司会自行准备通过这项合作,英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值,获得了新的批量分别选取大、中、小3种摆锤提升角度制造伙伴,而且加强了我们与长期伙伴之间的工作关系”,英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管PeterBauer表示。

IBM全球工程解决方案部门的半导体副总裁SteveLongoria表示:“通过与英飞凌合作,我们拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。”“这项许可协议利用了我们现有的技术基础,而且补足了我们的模拟与混合信号专门技术。”

据悉,该计划将在2008年下半年推出初步设计工具上述工艺的整合与验证,目前工作已开始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圆厂进行。

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